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性能穩(wěn)定MOS管SVF4N80F【分立器件】     SVF4N80F.D.MJ

分立器件
以士蘭微電子先進(jìn)、穩(wěn)定的芯片生產(chǎn)線工藝制造平臺(tái)和強(qiáng)大的產(chǎn)能為基礎(chǔ)，公司開發(fā)出了多種半導(dǎo)體分立
器件產(chǎn)品，主要應(yīng)用于高壓功率和特殊結(jié)構(gòu)的器件產(chǎn)品領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)最具規(guī)模的器件供應(yīng)商，部分產(chǎn)品已
經(jīng)入國(guó)際知名品牌企業(yè)并被大量采用。同時(shí)，士蘭微電子還大力投入了目前最先進(jìn)的SiC(碳化硅)和AaN（
氮化鎵）化合物材料功率器件的研發(fā)。
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該類方案主要以士蘭微電子AC-DC產(chǎn)品為主控芯片，以手機(jī)充電器、DVD電源、DVB適配器及PC電源設(shè)計(jì)為主要應(yīng)用方向。主芯片SD484X系列特性。


內(nèi)置PWM控制電路和高壓功率MOSFET。相對(duì)于控制電路和功率MOSFET分立來說，降低了成本，提高了電路的可靠性。
MOSFET的導(dǎo)通電阻最大值規(guī)格分別有：16.8歐姆、9.6歐姆、6.0歐姆、4.8歐姆、3.6歐姆。對(duì)應(yīng)的峰值電流最大值為：0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根據(jù)實(shí)際芯片所需的輸出功率進(jìn)行選擇。
主芯片具有低功耗、低啟動(dòng)電流和較低的EMI，最高效率可以達(dá)到80％以上。
啟動(dòng)電壓和輸出電壓均可調(diào)節(jié)，目前電路可以提供的功率范圍為：窄電壓范圍5~18W，寬電壓范圍7~21W。
內(nèi)置的15ms軟啟動(dòng)電路，減小了主芯片啟動(dòng)時(shí)變壓器的應(yīng)力。
主芯片的開關(guān)頻率為67KHz，振蕩產(chǎn)生的頻率抖動(dòng)，可以降低EMI。
在待機(jī)模式下，主芯片進(jìn)入打嗝模式，從而有效地降低主芯片的待機(jī)功耗。
主芯片內(nèi)部集成了各種異常狀態(tài)保護(hù)功能。包括欠壓鎖定，過壓保護(hù)，脈沖前沿消隱，過流保護(hù)和溫度保護(hù)功能。在主芯片發(fā)生保護(hù)以后，芯片可以不斷自動(dòng)重啟，直到系統(tǒng)正常為止。
 
     
 
優(yōu) 勢(shì)


   
依托士蘭集成650V MOSFET、650V BCD、25V BCD特殊工藝平臺(tái)，優(yōu)化了電源構(gòu)架（正激、反激、半橋、有源箝位、臨界導(dǎo)通、連續(xù)導(dǎo)通），可應(yīng)用于交直流轉(zhuǎn)換的電源產(chǎn)品。所涉及到的產(chǎn)品方案性能高，功耗低，屬于綠色電源管理方案，方案實(shí)現(xiàn)便利。