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        深圳市明啟通電子有限公司

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        [供應]mos管FDT86113LZ/FQT7N10LTF/IRFM120ATF/明啟通電子
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        • 更新日期:2019-07-18 09:03:37
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        mos管FDT86113LZ/FQT7N10LTF/IRFM120ATF/明啟通電子 詳細信息

        明啟通電子主營TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等品牌電子元器件,優勢庫存多,以下為部分優勢庫存參數: mos管FDT86113LZ產品參數: FET類型:N溝道; 技術:MOSFET(金屬氧化物); 漏源電壓(Vdss):60V; 電流-連續漏極(Id)(25°C時):4A(Tc); 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V; 不同Id,Vgs時的RdsOn(最大值):100毫歐@1.5A,10V; 不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.8V@250μA; 不同Vgs時的柵極電荷(Qg)(最大值):9nC@5V; Vgs(最大值):±16V; 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):340pF@25V; 功率耗散(最大值):3.3W(Tc); 工作溫度:-55°C~150°C(TJ); 安裝類型:表面貼裝; 供應商器件封裝:SOT-223; 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA; mos管FQT7N10LTF產品參數: FET類型:N溝道; 技術:MOSFET(金屬氧化物); 漏源電壓(Vdss):60V; 電流-連續漏極(Id)(25°C時):4A(Tc); 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V; 不同Id,Vgs時的RdsOn(最大值):100毫歐@1.5A,10V; 不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.8V@250μA; 不同Vgs時的柵極電荷(Qg)(最大值):9nC@5V; Vgs(最大值):±16V; 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):340pF@25V; 功率耗散(最大值):3.3W(Tc); 工作溫度:-55°C~150°C(TJ); 安裝類型:表面貼裝; 供應商器件封裝:SOT-223; 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA; mos管IRFM120ATF產品參數: FET類型:N溝道; 技術:MOSFET(金屬氧化物); 漏源電壓(Vdss):60V; 電流-連續漏極(Id)(25°C時):11A(Tc); 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V; 不同Id,Vgs時的RdsOn(最大值):90毫歐@6A,10V; 不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.5V@250μA; 不同Vgs時的柵極電荷(Qg)(最大值):9.3nC@10V; Vgs(最大值):±20V; 工作溫度:-55°C~150°C(TJ); 安裝類型:表面貼裝; 供應商器件封裝:SOT-223; 明啟通電子主營TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等品牌電子元器件。已具有一定的實力與規模.品種齊全,使本公司在行業中贏得客戶的信任和支持,客戶遍布全國各地及其它一些國家和地區。 網上報價為系統默認價格,實際價格請咨詢明啟通電子客服小妹!

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