深圳市福田俊騰源電子商行

68.ESD/TVS靜電保護二極管RUM002N02型號參數：FET類型：N溝道； 技術：MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）：20V 電流-連續漏極（Id）（25°C時）：200mA（Ta） 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，2.5V 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@200mA，2.5V 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1V@1mA Vgs（最大值）：±8V 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：25pF@10V 功率耗散（最大值）：150mW（Ta） 工作溫度：150°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝 供應商器件封裝：VMT3 封裝/外殼：SOT-723 69.ESD/TVS靜電保護二極管RZM002P02型號參數： FET類型：P溝道 技術：MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）：20V 電流-連續漏極（Id）（25°C時）：200mA（Ta） 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@200mA，4.5V 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1V@100μA 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：1.4nC@4.5V Vgs（最大值）：±10V 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：115pF@10V 功率耗散（最大值）：150mW（Ta） 工作溫度：150°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝 供應商器件封裝：VMT3 封裝/外殼：SOT-723 70.ESD/TVS靜電保護二極管NTA4151PT1G型號參數： FET類型：P溝道 技術：MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）：20V 電流-連續漏極（Id）（25°C時）：760mA（Tj） 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：360毫歐@350mA，4.5V 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：450mV@250μA 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：2.1nC@4.5V Vgs（最大值）：±6V 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：156pF@5V 功率耗散（最大值）：301mW（Tj） 工作溫度：-55°C~150°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝 供應商器件封裝：SC-75，SOT-416 公司分銷：AMAZING、ROHM、NXP、ON、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR等各種片狀穩壓、場效應管、達林頓、變容、ESD、TVS管、二三極管。經銷的產品廣泛用于消費類電子、LED、家電、網絡通訊、安防、汽車電子、航空、電表、儀器儀表、電源、計算機及外設等行業。 網上顯示RUM002N02RZM002P02和NTA4151PT1G價格為系統默認價格，具體價格請咨詢福田俊騰源電子客服。